ON Semiconductor - FDFM2N111

KEY Part #: K6394016

FDFM2N111 Цены (доллары США) [233932шт сток]

  • 1 pcs$0.15890
  • 3,000 pcs$0.15811

номер части:
FDFM2N111
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDFM2N111 electronic components. FDFM2N111 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFM2N111, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDFM2N111 Атрибуты продукта

номер части : FDFM2N111
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 273pF @ 10V
Функция FET : Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.7W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : MicroFET 3x3mm
Пакет / Дело : 6-WDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в