Vishay Siliconix - SIHP6N80E-GE3

KEY Part #: K6399726

SIHP6N80E-GE3 Цены (доллары США) [34895шт сток]

  • 1 pcs$1.18108

номер части:
SIHP6N80E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP6N80E-GE3 electronic components. SIHP6N80E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP6N80E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP6N80E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHP6N80E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 940 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 827pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 78W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • R8008ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM.

  • IRFI9Z14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

  • IRFIZ24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.

  • AUIRFS8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK.

  • IPB035N08N3GATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3.