IXYS - IXFR15N100Q3

KEY Part #: K6397650

IXFR15N100Q3 Цены (доллары США) [6036шт сток]

  • 1 pcs$8.25137
  • 10 pcs$7.13581
  • 100 pcs$6.06544

номер части:
IXFR15N100Q3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFR15N100Q3 electronic components. IXFR15N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR15N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR15N100Q3 Атрибуты продукта

номер части : IXFR15N100Q3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3250pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 400W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ISOPLUS247™
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.