Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF

KEY Part #: K6417826

IRLL2705TRPBF Цены (доллары США) [210580шт сток]

  • 1 pcs$0.17565
  • 2,500 pcs$0.12490

номер части:
IRLL2705TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLL2705TRPBF electronic components. IRLL2705TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLL2705TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLL2705TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLL2705TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 870pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в