Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5404GP-E3/54

KEY Part #: K6440328

1N5404GP-E3/54 Цены (доллары США) [283149шт сток]

  • 1 pcs$0.13063
  • 2,800 pcs$0.11839

номер части:
1N5404GP-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,400V, STD SUPERECT
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5404GP-E3/54 electronic components. 1N5404GP-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5404GP-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5404GP-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : 1N5404GP-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 3A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-201AD, Axial
Комплект поставки устройства : DO-201AD
Рабочая температура - соединение : -50°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM