номер части :
IDB30E120ATMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
50A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
2.15V @ 30A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
243ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100µA @ 1200V
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
PG-TO263-3
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C