номер части :
IDB30E60ATMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
52.3A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
2V @ 30A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
126ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
50µA @ 600V
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
PG-TO263-3-2
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 175°C