FESB16DT-E3/81 Цены (доллары США) [84873шт сток]
- 1 pcs$0.46070
- 800 pcs$0.42754
- номер части:
- FESB16DT-E3/81
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DT-E3/81 electronic components. FESB16DT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16DT-E3/81 Атрибуты продукта
номер части :
FESB16DT-E3/81
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
16A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
975mV @ 16A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
35ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
TO-263AB
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
MMBD4148-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V
-
SMBD914E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
CDBV1100-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE
-
SD103AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt
-
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V If/250mA T/R
-
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 400 Volt 50ns 250 Amp IFSM
Горячие части
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G