Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1N1190R

KEY Part #: K6440364

VS-1N1190R Цены (доллары США) [11335шт сток]

  • 1 pcs$3.00557
  • 10 pcs$2.71603
  • 25 pcs$2.58973
  • 100 pcs$2.24863
  • 250 pcs$2.14755
  • 500 pcs$1.95807
  • 1,000 pcs$1.70541

номер части:
VS-1N1190R
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB. Rectifiers 600 Volt 35 Amp
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1N1190R electronic components. VS-1N1190R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1N1190R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1N1190R Атрибуты продукта

номер части : VS-1N1190R
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard, Reverse Polarity
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 35A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 110A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10mA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Chassis, Stud Mount
Пакет / Дело : DO-203AB, DO-5, Stud
Комплект поставки устройства : DO-203AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 190°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM