Infineon Technologies - FF600R12ME4PBOSA1

KEY Part #: K6532641

FF600R12ME4PBOSA1 Цены (доллары США) [384шт сток]

  • 1 pcs$120.59503

номер части:
FF600R12ME4PBOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 600V 600A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FF600R12ME4PBOSA1 electronic components. FF600R12ME4PBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF600R12ME4PBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF600R12ME4PBOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FF600R12ME4PBOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 600V 600A
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : -
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : -
NTC Термистор : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Пакет / Дело : -
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.