Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV201-GS08

KEY Part #: K6458623

BAV201-GS08 Цены (доллары США) [3225988шт сток]

  • 1 pcs$0.01147
  • 12,500 pcs$0.01080

номер части:
BAV201-GS08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV201-GS08 electronic components. BAV201-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV201-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV201-GS08 Атрибуты продукта

номер части : BAV201-GS08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 100mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100nA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-80 Variant
Комплект поставки устройства : SOD-80 QuadroMELF
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode