Diodes Incorporated - DMP10H4D2S-7

KEY Part #: K6395969

DMP10H4D2S-7 Цены (доллары США) [912760шт сток]

  • 1 pcs$0.04052
  • 3,000 pcs$0.03681

номер части:
DMP10H4D2S-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7 electronic components. DMP10H4D2S-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP10H4D2S-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP10H4D2S-7 Атрибуты продукта

номер части : DMP10H4D2S-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 270mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 87pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 380mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в