Infineon Technologies - IRLR3103TRRPBF

KEY Part #: K6411441

[13789шт сток]


    номер части:
    IRLR3103TRRPBF
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR3103TRRPBF electronic components. IRLR3103TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3103TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR3103TRRPBF Атрибуты продукта

    номер части : IRLR3103TRRPBF
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
    Серии : HEXFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 55A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 33A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±16V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1600pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 107W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D-Pak
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VN2410LG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

    • VN2222LLG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS170RLRAG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • 2SJ377(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • IRLR8503TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRLR8503PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.