Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF

KEY Part #: K6412490

TPCF8107,LF Цены (доллары США) [13427шт сток]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38800
  • 100 pcs$0.28310

номер части:
TPCF8107,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - JFETs, Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF electronic components. TPCF8107,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCF8107,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCF8107,LF Атрибуты продукта

номер части : TPCF8107,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Серии : U-MOSVI
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Макс) : +20V, -25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 970pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : VS-8 (2.9x1.5)
Пакет / Дело : 8-SMD, Flat Lead

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

  • IRFR4104TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

  • IRFR7746PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK.

  • IRFR120ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.