Microsemi Corporation - JANTXV1N6630US

KEY Part #: K6446828

JANTXV1N6630US Цены (доллары США) [3183шт сток]

  • 1 pcs$13.60814

номер части:
JANTXV1N6630US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630US electronic components. JANTXV1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6630US Атрибуты продукта

номер части : JANTXV1N6630US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
Серии : Military, MIL-PRF-19500/590
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.4V @ 1.4A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 2µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, E
Комплект поставки устройства : D-5B
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SRP600J-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • SBLB1030HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

  • SBLB10L25HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.