Infineon Technologies - FZ1200R17HP4B2BOSA2

KEY Part #: K6532954

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Цены (доллары США) [92шт сток]

  • 1 pcs$389.13889

номер части:
FZ1200R17HP4B2BOSA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MODULE IGBT IHMB130-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HP4B2BOSA2 electronic components. FZ1200R17HP4B2BOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HP4B2BOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Атрибуты продукта

номер части : FZ1200R17HP4B2BOSA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MODULE IGBT IHMB130-1
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 1200A
Мощность - Макс : 7800W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в