номер части :
APTGT75H60T1G
производитель :
Microsemi Corporation
Описание :
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Состояние детали :
Active
Тип IGBT :
Trench Field Stop
конфигурация :
Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
100A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
SP1