Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BYNB

KEY Part #: K7359666

[19090шт сток]

номер части:: K4B2G1646F-BYNB

производитель:: Samsung Semiconductor

Подробное описание:: 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: MODULE, SLC Nand, LPDDR3, GDDR6, DDR4, HBM Aquabolt, GDDR5 and LPDDR4 ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BYNB electronic components. K4B2G1646F-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B2G1646F-BYNB Атрибуты продукта

номер части : K4B2G1646F-BYNB

производитель : Samsung Semiconductor

Описание : 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

Серии : DDR3

плотность : 2 Gb

Org. : 128M x 16

скорость : 2133 Mbps

напряжение : 1.35 V

Температура : 0 ~ 85 °C

пакет : 96FBGA

Статус продукта : Mass Production

Последние новости

Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

Speed for the next generation of mobile devices

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Вы также можете быть заинтересованы в

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

Горячие части

English русский