Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-YCK0

KEY Part #: K7359704

[25880шт сток]


    номер части:
    K4B4G1646E-YCK0
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: HBM Flarebolt, LPDDR4X, DDR3, LPDDR4, GDDR6, MODULE, SLC Nand and GDDR5 ...
    Конкурентное преимущество:
    Мы специализируемся на электронных компонентах Samsung Semiconductor K4B4G1646E-YCK0. K4B4G1646E-YCK0 может быть отправлен в течение 24 часов после заказа. Если у вас есть какие-либо требования к K4B4G1646E-YCK0, пожалуйста, отправьте запрос на предложение здесь или отправьте нам письмо по электронной почте: info@key-components.com

    K4B4G1646E-YCK0 Атрибуты продукта

    номер части : K4B4G1646E-YCK0
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    скорость : 1600 Mbps
    напряжение : 1.35 V
    Температура : 0 ~ 85 °C
    пакет : 96FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.