Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BMK0

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BMK0

KEY Part #: K7359701

[19193шт сток]

    номер части:
    K4B4G1646E-BMK0
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: HBM Flarebolt, LPDDR4X, DDR4, LPDDR3, MODULE, HBM Aquabolt, SLC Nand and LPDDR5 ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BMK0 electronic components. K4B4G1646E-BMK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-BMK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BMK0 Атрибуты продукта

    номер части : K4B4G1646E-BMK0
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    скорость : 1600 Mbps
    напряжение : 1.35 V
    Температура : -40 ~ 95 °C
    пакет : 96FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Последние новости

    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Горячие части