Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BYNB

KEY Part #: K7359698

[21068шт сток]


    номер части:
    K4B4G1646D-BYNB
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: LPDDR5, LPDDR4, LPDDR3, GDDR5, HBM Aquabolt, DDR4, DDR3 and SLC Nand ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BYNB electronic components. K4B4G1646D-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BYNB Атрибуты продукта

    номер части : K4B4G1646D-BYNB
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    скорость : 2133 Mbps
    напряжение : 1.35 V
    Температура : 0 ~ 85 °C
    пакет : 96FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.