Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYH9

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYH9

KEY Part #: K7359673

[17624шт сток]

    номер части:
    K4B4G0846D-BYH9
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    4 Gb 512M x 8 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: GDDR6, HBM Aquabolt, LPDDR5, LPDDR3, DDR4, LPDDR4, DDR3 and HBM Flarebolt ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYH9 electronic components. K4B4G0846D-BYH9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846D-BYH9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYH9 Атрибуты продукта

    номер части : K4B4G0846D-BYH9
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 4 Gb 512M x 8 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    скорость : 1333 Mbps
    напряжение : 1.35 V
    Температура : 0 ~ 85 °C
    пакет : 78FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Последние новости

    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Горячие части