Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G1646I-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B1G1646I-BCMA

KEY Part #: K7359640

[19161шт сток]

    номер части:
    K4B1G1646I-BCMA
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: GDDR5, LPDDR5, LPDDR4X, MODULE, DDR3, SLC Nand, LPDDR4 and GDDR6 ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G1646I-BCMA electronic components. K4B1G1646I-BCMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G1646I-BCMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G1646I-BCMA Атрибуты продукта

    номер части : K4B1G1646I-BCMA
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 1 Gb
    Org. : 64M x 16
    скорость : 1866 Mbps
    напряжение : 1.5 V
    Температура : 0 ~ 85 °C
    пакет : 96FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Последние новости

    The future of NAND technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Горячие части