Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BMMA

KEY Part #: K7359672

[14615шт сток]

    номер части:
    K4B4G0846D-BMMA
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: LPDDR4, MODULE, SLC Nand, LPDDR3, LPDDR4X, DDR3, DDR4 and LPDDR5 ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BMMA electronic components. K4B4G0846D-BMMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846D-BMMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BMMA Атрибуты продукта

    номер части : K4B4G0846D-BMMA
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    скорость : 1600 Mbps
    напряжение : 1.35 V
    Температура : -40 ~ 95 °C
    пакет : 78FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Последние новости

    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Горячие части