Infineon Technologies - FS800R07A2E3B32BOSA1

KEY Part #: K6533566

FS800R07A2E3B32BOSA1 Цены (доллары США) [122шт сток]

  • 1 pcs$377.05825
  • 3 pcs$328.62766

номер части:
FS800R07A2E3B32BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULES.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS800R07A2E3B32BOSA1 electronic components. FS800R07A2E3B32BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS800R07A2E3B32BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS800R07A2E3B32BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FS800R07A2E3B32BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULES
Серии : *
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : -
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : -
NTC Термистор : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Пакет / Дело : -
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.