Global Power Technologies Group - GHIS040A060S-A1

KEY Part #: K6532760

GHIS040A060S-A1 Цены (доллары США) [3283шт сток]

  • 1 pcs$13.19478
  • 10 pcs$12.20518
  • 25 pcs$11.21557
  • 100 pcs$10.42388
  • 250 pcs$9.56622
  • 500 pcs$9.10440

номер части:
GHIS040A060S-A1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS040A060S-A1 electronic components. GHIS040A060S-A1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS040A060S-A1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS040A060S-A1 Атрибуты продукта

номер части : GHIS040A060S-A1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 80A
Мощность - Макс : 277W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.72nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки устройства : SOT-227

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT