IXYS - IXFX80N50P

KEY Part #: K6394662

IXFX80N50P Цены (доллары США) [6659шт сток]

  • 1 pcs$8.89536
  • 10 pcs$7.69330
  • 100 pcs$6.53933

номер части:
IXFX80N50P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX80N50P electronic components. IXFX80N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX80N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX80N50P Атрибуты продукта

номер части : IXFX80N50P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
Серии : HiPerFET™, PolarHT™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 12700pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1040W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3