Diodes Incorporated - DMG4N60SK3-13

KEY Part #: K6402269

DMG4N60SK3-13 Цены (доллары США) [2763шт сток]

  • 2,500 pcs$0.14509

номер части:
DMG4N60SK3-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13 electronic components. DMG4N60SK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N60SK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N60SK3-13 Атрибуты продукта

номер части : DMG4N60SK3-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 532pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 48W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в