Vishay Siliconix - SI1489EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6402256

SI1489EDH-T1-GE3 Цены (доллары США) [8795шт сток]

  • 3,000 pcs$0.05312

номер части:
SI1489EDH-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI1489EDH-T1-GE3 electronic components. SI1489EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1489EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1489EDH-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI1489EDH-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-363
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в