IXYS - IXFP36N30P3

KEY Part #: K6395040

IXFP36N30P3 Цены (доллары США) [32988шт сток]

  • 1 pcs$1.38124
  • 50 pcs$1.37437

номер части:
IXFP36N30P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 36A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFP36N30P3 electronic components. IXFP36N30P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP36N30P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP36N30P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFP36N30P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 300V 36A TO220
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 36A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2040pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 347W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3