IXYS - IXFH130N15X3

KEY Part #: K6394689

IXFH130N15X3 Цены (доллары США) [14255шт сток]

  • 1 pcs$2.89099

номер части:
IXFH130N15X3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH130N15X3 electronic components. IXFH130N15X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH130N15X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH130N15X3 Атрибуты продукта

номер части : IXFH130N15X3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 130A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5230pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 390W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3