IXYS - IXTY1R4N120PHV

KEY Part #: K6394653

IXTY1R4N120PHV Цены (доллары США) [41564шт сток]

  • 1 pcs$0.94072

номер части:
IXTY1R4N120PHV
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTY1R4N120PHV electronic components. IXTY1R4N120PHV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1R4N120PHV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1R4N120PHV Атрибуты продукта

номер части : IXTY1R4N120PHV
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 666pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 86W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63