Vishay Siliconix - SIR182DP-T1-RE3

KEY Part #: K6396210

SIR182DP-T1-RE3 Цены (доллары США) [110081шт сток]

  • 1 pcs$0.33600

номер части:
SIR182DP-T1-RE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIR182DP-T1-RE3 electronic components. SIR182DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR182DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR182DP-T1-RE3 Атрибуты продукта

номер части : SIR182DP-T1-RE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Серии : TrenchFET® Gen IV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3250pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 69.4W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в