Microsemi Corporation - 1N6643US

KEY Part #: K6441745

1N6643US Цены (доллары США) [9590шт сток]

  • 1 pcs$4.51277
  • 10 pcs$4.06061
  • 25 pcs$3.69959
  • 100 pcs$3.33866
  • 250 pcs$3.06794
  • 500 pcs$2.79724

номер части:
1N6643US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching .3A ULTRA FAST 75V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - одинарные and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6643US electronic components. 1N6643US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6643US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6643US Атрибуты продукта

номер части : 1N6643US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 300mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 100mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 20ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 50nA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, B
Комплект поставки устройства : D-5B
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt