IXYS - IXFK52N60Q2

KEY Part #: K6405737

IXFK52N60Q2 Цены (доллары США) [4482шт сток]

  • 1 pcs$10.68348
  • 25 pcs$10.63033

номер части:
IXFK52N60Q2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFK52N60Q2 electronic components. IXFK52N60Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFK52N60Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK52N60Q2 Атрибуты продукта

номер части : IXFK52N60Q2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 52A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 198nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 735W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-264AA (IXFK)
Пакет / Дело : TO-264-3, TO-264AA

Вы также можете быть заинтересованы в