GeneSiC Semiconductor - GA50JT06-258

KEY Part #: K6394021

GA50JT06-258 Цены (доллары США) [140шт сток]

  • 1 pcs$333.42398
  • 10 pcs$331.76515

номер части:
GA50JT06-258
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
TRANS SJT 600V 100A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 electronic components. GA50JT06-258 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT06-258, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT06-258 Атрибуты продукта

номер части : GA50JT06-258
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : TRANS SJT 600V 100A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : -
Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 769W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 225°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-258
Пакет / Дело : TO-258-3, TO-258AA
Вы также можете быть заинтересованы в