Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K376R,LF

KEY Part #: K6421641

SSM3K376R,LF Цены (доллары США) [1230545шт сток]

  • 1 pcs$0.03006

номер части:
SSM3K376R,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID 4A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LF electronic components. SSM3K376R,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K376R,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K376R,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM3K376R,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID 4A
Серии : U-MOSVII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.2nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : +12V, -8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 200pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23F
Пакет / Дело : SOT-23-3 Flat Leads

Вы также можете быть заинтересованы в