1N4151W-HE3-18 Цены (доллары США) [2422835шт сток]
- 1 pcs$0.01527
- 10,000 pcs$0.01412
- номер части:
- 1N4151W-HE3-18
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4151W-HE3-18 electronic components. 1N4151W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4151W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4151W-HE3-18 Атрибуты продукта
номер части :
1N4151W-HE3-18
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 50mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
50nA @ 50V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-123
Комплект поставки устройства :
SOD-123
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Горячие части
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18