Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF

KEY Part #: K6399316

IRF1018ESTRLPBF Цены (доллары США) [115972шт сток]

  • 1 pcs$0.31893
  • 800 pcs$0.30765

номер части:
IRF1018ESTRLPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF electronic components. IRF1018ESTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1018ESTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1018ESTRLPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF1018ESTRLPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 79A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2290pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.