Toshiba Semiconductor and Storage - TK10J80E,S1E

KEY Part #: K6417647

TK10J80E,S1E Цены (доллары США) [37612шт сток]

  • 1 pcs$1.21125
  • 25 pcs$1.20523

номер части:
TK10J80E,S1E
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E electronic components. TK10J80E,S1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10J80E,S1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10J80E,S1E Атрибуты продукта

номер части : TK10J80E,S1E
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Серии : π-MOSVIII
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P(N)
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в