Toshiba Semiconductor and Storage - TK10Q60W,S1VQ

KEY Part #: K6393152

TK10Q60W,S1VQ Цены (доллары США) [33884шт сток]

  • 1 pcs$1.33973

номер части:
TK10Q60W,S1VQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W,S1VQ electronic components. TK10Q60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10Q60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10Q60W,S1VQ Атрибуты продукта

номер части : TK10Q60W,S1VQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 700pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 80W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I-PAK
Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вы также можете быть заинтересованы в