номер части :
TK10Q60W,S1VQ
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Состояние детали :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
9.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
20nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
700pF @ 300V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
80W (Tc)
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Through Hole
Комплект поставки устройства :
I-PAK
Пакет / Дело :
TO-251-3 Stub Leads, IPak