Microsemi Corporation - 1N5550

KEY Part #: K6441010

1N5550 Цены (доллары США) [11239шт сток]

  • 1 pcs$4.05444
  • 10 pcs$3.64900
  • 25 pcs$3.32464
  • 100 pcs$3.00029
  • 250 pcs$2.75702
  • 500 pcs$2.51375
  • 1,000 pcs$2.18940

номер части:
1N5550
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5550 electronic components. 1N5550 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5550, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5550 Атрибуты продукта

номер части : 1N5550
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 9A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 2µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : B, Axial
Комплект поставки устройства : -
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-8EWF04S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • VS-MURB1520TRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

  • VS-20ETS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-E4PU3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L