номер части :
GSID150A120S6A4
производитель :
Global Power Technologies Group
Описание :
SILICON IGBT MODULES
Состояние детали :
Active
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
275A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
20.2nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module