номер части :
BSM50GD170DLBOSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Состояние детали :
Not For New Designs
конфигурация :
Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
100A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
3.3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
3.5nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 125°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module