ON Semiconductor - FDP023N08B-F102

KEY Part #: K6395261

FDP023N08B-F102 Цены (доллары США) [25834шт сток]

  • 1 pcs$1.59533

номер части:
FDP023N08B-F102
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP023N08B-F102 electronic components. FDP023N08B-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP023N08B-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP023N08B-F102 Атрибуты продукта

номер части : FDP023N08B-F102
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.35 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 13765pF @ 37.5V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 245W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в