BAV21-TAP Цены (доллары США) [3494821шт сток]
- 1 pcs$0.01058
- 50,000 pcs$0.00797
- номер части:
- BAV21-TAP
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21-TAP electronic components. BAV21-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21-TAP Атрибуты продукта
номер части :
BAV21-TAP
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 100mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
50ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 150V
Емкость @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
DO-204AH, DO-35, Axial
Комплект поставки устройства :
DO-35
Рабочая температура - соединение :
175°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
C4D05120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Горячие части
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54