ON Semiconductor - FDN8601

KEY Part #: K6396090

FDN8601 Цены (доллары США) [242912шт сток]

  • 1 pcs$0.15303
  • 3,000 pcs$0.15227

номер части:
FDN8601
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDN8601 electronic components. FDN8601 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN8601, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN8601 Атрибуты продукта

номер части : FDN8601
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 109 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 210pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SuperSOT-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в