Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH1PA-M3/84A

KEY Part #: K6437494

ESH1PA-M3/84A Цены (доллары США) [515610шт сток]

  • 1 pcs$0.07174
  • 3,000 pcs$0.06559

номер части:
ESH1PA-M3/84A
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH1PA-M3/84A electronic components. ESH1PA-M3/84A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH1PA-M3/84A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH1PA-M3/84A Атрибуты продукта

номер части : ESH1PA-M3/84A
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA
Серии : eSMP®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 900mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-220AA
Комплект поставки устройства : DO-220AA (SMP)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM