Toshiba Semiconductor and Storage - JDH2S02SL,L3F

KEY Part #: K6454572

JDH2S02SL,L3F Цены (доллары США) [1206727шт сток]

  • 1 pcs$0.03065

номер части:
JDH2S02SL,L3F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR. Schottky Diodes & Rectifiers High Freq Schottky .01A 10V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL,L3F electronic components. JDH2S02SL,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JDH2S02SL,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JDH2S02SL,L3F Атрибуты продукта

номер части : JDH2S02SL,L3F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 10V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : -
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 25µA @ 500mV
Емкость @ Vr, F : 0.25pF @ 200mV, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 0201 (0603 Metric)
Комплект поставки устройства : SL2
Рабочая температура - соединение : 125°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • EGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns