Microsemi Corporation - 1N5618US

KEY Part #: K6441744

1N5618US Цены (доллары США) [9305шт сток]

  • 1 pcs$3.78121
  • 10 pcs$3.40441
  • 25 pcs$3.10200
  • 100 pcs$2.79933
  • 250 pcs$2.57235
  • 500 pcs$2.34537
  • 1,000 pcs$2.04275

номер части:
1N5618US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5618US electronic components. 1N5618US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5618US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5618US Атрибуты продукта

номер части : 1N5618US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 3A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 2µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 200°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt